ALD简介
原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition,简称ALD)是一种在纳米尺度上进行薄膜沉积的先进技术。通过将物质以单原子形式一层一层的镀在基底表面,拥有优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确控制膜厚等特点。
ALD应用
ALD在能源领域应用
2009年,Miyaska课题组将钙钛矿材料MAPbI3用作燃料敏化太阳能电池的光伏活性层,正式开启了钙钛矿太阳能电池的新纪元。ALD凭借其均匀成膜性、精准控制厚度和保形性等多种优势,在光伏领域中发挥着重要作用。除此之外,ALD技术还可用于锂电池薄膜涂层,提高电池性能。
ALD在泛半导体应用
随着泛半导体行业的发展,对微型化和集成化要求越来越高,尺寸缩小至亚微米和纳米量级,ALD作为一种高精度薄膜沉积技术,可用于晶体管栅极电介质层(高K材料)、金属栅电极、有机发光显示器涂层、铜互联扩散阻挡层、DRAM电介质层、微流体和MEMS涂层、传感器等众多领域。
ALD在光学领域应用
由于 ALD 具有的三维共形沉积和大面积均匀性特点,已成功应用于高质量光学薄膜、增透膜、折射率可调的光学薄膜、波状多层膜,改善了光子晶体的光学性质和可控性,增加了光子晶体在未来光学器件中的应用潜力。
公司致力于ALD高纯半导体薄膜前驱体材料的自主研发和生产,成立以来,已陆续向多家半导体客户提供了百余种前驱体新材料,包括高纯硅基前驱体系列、High-k前驱体系列产品,部分新品已被客户用于5nm以下制程薄膜设备。我们致力为客户提供优质的产品并建立互信、长久的合作关系,产品具有自主知识产权且原材料国产化,打破国外垄断的同时保证供应链的安全。研峰科技愿与国内芯片、高端显示、光伏新能源等高端客户一起携手,解决高端半导体材料的把脖子难题,早日实现进口替代。
1890年Ludwig Mond首次合成羰基镍[1],此后大家发现周期表中钴和铁等过渡金属元素能与一氧化碳(CO)反应生成金属羰基化合物,经热分解可获得不含有害杂质、粒度小、活性高等的金属羰基粉末,由于其兼具无机和有机化合物特性,在新材料、有机合成、催化剂、生物医药和环境化工等领域有着重要应用。
金属羰基化合物是以过渡金属为中心原子、CO为配体,其稳定存在是因为过渡金属通常具有半占满的d轨道,CO中碳原子可以提供孤对电子给中心原子d轨道形成金属-碳σ键,同时过渡金属的Π电子会反馈到CO的空轨道形成反馈Π键(图一),从而金属原子和羰基形成稳定的σ-Π键。
图一 金属原子和羰基形成稳定的σ-Π键
Ø 催化领域,金属羰基化合物具有较高的催化活性和选择性,可以催化烯丙胺类化合物异构化为高反应活性的亚胺,进行傅克反应或曼尼希反应;还可用于催化甲基上的低活性C(sp3)-H键进行羰基化反应。
Ø 材料领域,可用于制备液晶显示器、太阳能电池和发光二极管等光电材料。
Ø 医药领域,其衍生物可用作抗肿瘤药物、抗病毒药物和抗菌药物等,为医药研究提供了新的思路和方法。
①六羰基钨,由过渡金属钨与一氧化碳配体形成的配位化合物,通常为六配位体,其分子具有高对称性,在空气中可以稳定存在的白色固体(图二)。
图二 六羰基钨结构及外观
薄膜沉积领域:以六羰基钨和氨为前驱体,原子层沉积在180-195℃的低温狭窄温度范围内成功地生长出氮化钨膜[2],电化学研究表明,形成的WNx薄膜可以作为锂离子电池的稳定阳极材料,其库仑效率高达99%以上,甚至可以达到200次循环。
催化领域:六羰基钨可与烯烃、炔烃、重氮甲烷、腈等发生相应的插入反应而生成各种有机钨化合物。除此之外,在光照条件下六羰基钨可用于催化环烯的开环聚合。
石化领域:六羰基钨与苯胺类产品合成油溶性加氢催化剂,后者用于加工劣质重油、渣油时可以达到较高的加氢转化率,并且最大限度地降低生焦率。
①八羰基二钴,橙棕色结晶体(图三),熔点51℃,15℃时的蒸汽压为9.33 Pa,空气中52℃以上发生分解,不溶于水,溶于有机溶剂。
图三 八羰基二钴结构及外观
薄膜沉积领域:八羰基二钴作为前驱体沉积得到钴膜,可用于高密度磁光记录介质[3]。同时也是合成重要半导体前驱体二羰基环戊二烯基钴[CpCo(CO)2]的原材料。
催化领域:在长链烯烃氢甲酰化反应过程中,羰基钴催化剂占有主导地位(图四),既可以是纯羰基配合物的形式,也可以是各种形式配体改性的形式。
图四 八羰基二钴催化氢甲酰化机理
石化领域:八羰基二钴可以合成加氢脱氮复合催化剂,用于渣油深度脱氮处理,可以作为重油加氢裂化的补充原料,提高渣油的利用价值。除此之外,八羰基二钴还可以催化醋酸乙烯酯氢甲酰化,然后再通过加氢、水解反应得到1,2-丙二醇和1,3-丙二醇,后者是重要的聚脂纤维单体,具有很高的市场价值。
六羰基铬,白色结晶体(图五),48℃时的蒸汽压为133.32Pa,熔点130℃,密度1.77g/cm3,在空气中稳定,但易挥发。不溶于水和乙醇,溶于大多数其它有机溶剂。1926年,科研人员将CrCl3、溴化苯镁和CO在醚中反应,水解得到 Cr(CO)6。
图五 六羰基铬结构及外观
薄膜沉积领域:以六羰基铬为前驱体,通过激光化学气相沉积方法(LCVD)制备铬薄膜,用于光掩膜版透明缺陷维修等。光掩膜版是集成电路布图设计的一种载体,在光刻工艺中起着曝光掩蔽作用,是制造集成电路必不可少的部件。
催化领域:主要应用于共轭双键选择性氢化、异构化和芳烃烷基化等催化反应,还可以催化氧化合成异长叶烯酮用于化妆品和香皂等产品中作为香精使用。
参考文献:
1. J. Chem. Soc. Trans, 1890, 57, 749.
2. Physical Chemistry Chemical Physics, 2015, 17, 17445.
3. Technol.A. 2012, 20, 1295.
Chemical Name | Tungsten hexacarbonyl |
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CAS Number | 14040-11-0 |
PubChem Substance ID | 24854483 |
EC Number | 237-880-2 |
MDL Number | MFCD00011462 |
Synonym | Tungsten carbonyl (W(CO)6), (OC-6-11)- Tungsten carbonyl (W(CO)6) Tungstencarbonyl,99%(99.9+%-W)sublimed Tungstenhexacarbonyl Tungstencarbonyl(W(CO)6),(OC-6-11)- Tungsten hexacarbonyl, sublimed, 99.9+% metals basis Tungstene hexacarbonyl NSC 173699 tungstenehexacarbonyl (OC-6-11)-Tungstencarbonyl Wolframhexacarbonyl TUNGSTEN CARBONYL Tungsten carbonyl (oc-6-11)-tungstencarbonyl(w(co)6 Tungstencarbonyl(W(CO)6) W(CO)6 Hexacarbonyl wolfram Tungsten carbonyl 99% Hexacarbonylwolfram TUNGSTEN CARBONYL 99% (<0.3%-MO) Tungstencarbonyl,99%(<0.1%-Mo) Tungsten hexacarbonyl Hexacarbonyltungsten (0) Tungsten carbonyl Tungstenhexacarbonyl 六羰基钨 Hexacarbonyltungsten 六羰基钨 HEXACARBONYLTUNGSTEN Hexacarbonyltungsten (0) |
Chemical Name Translation | 六羰基钨 |
InChIKey | FQNHWXHRAUXLFU-UHFFFAOYSA-N |
LabNetwork Molecule ID | LN02003227 |
WGK Germany | 3 |
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Hazard Codes | T |
Hazard statements | |
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Personal Protective Equipment | Eyeshields, Gloves, type N95 (US), type P1 (EN143) respirator filter |
Precautionary statements | |
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Signal word | Danger |
RTECS | YO7705000 |
Safety Statements | |
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UN Number | UN3466 |
Risk Statements | |
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Packing Group | III |
Hazard Class | 6.1 |
Restrict | - |
*以上化合物性质及应用等信息仅供参考